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Typical Characteristics
10
I D = -11.0 A
2400
f = 1MHz
8
V DS = 10V
30V
1800
V GS = 0 V
6
20V
1200
C iss
4
C oss
600
2
C rss
0
0
0
5
10 15
20
25
30
0
5
10 15 20 25
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1000
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
100
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100ms
100μs
80
60
R θ JA = 96°C/W
T A = 25°C
1
10s
1
0.1
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
DC
40
20
0
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R q JA (t) = r(t) * R q JA
R q JA = 96 ° C/W
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
0.01
0.01
t 1
t 2
T J - T A = P * R q JA (t)
0.001
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD6685 Rev D 1
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